在我国初期半导体材料光伏材料奠基者梁骏吾院士逝世

在我国初期半导体材料光伏材料奠基者梁骏吾院士逝世 6月24日，中国科学院半导体所公布讣闻：中科院院士工程院院士、中科院半导体研究所研究者、我国著名半导体器件学者梁骏吾先生患病抢救无效，悲剧于2022年6月23日17时在北京市去世，终年89岁。

梁骏吾工程院院士1933年9月18日生在武汉，1997年入选中科院院士工程院院士。他依次喜获国家科技部科研成果二等奖和新品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中国科学院重大成果和科技创新一等奖3次、二等奖4次，上海科技创新二等奖1次等各种各样科技进步奖共20多次。

梁骏吾工程院院士从业半导体器件科研工作中六十多年，是我国初期半导体材料光伏材料的奠基者。上世纪60时代解决了高纯度区熔硅的核心技术；1964年制取出室内温度激光发生器用 GaAs 高效液相外延性原材料；1979年研制成功为规模性集成电路芯片用的无织构、无漩涡、低下缺点、低碳环保、可控性氧浓度的高品质硅区熔单晶体；80时代创新了掺氮中子衍变硅单晶，解决了单晶硅片的一致性和匀称的问题；90时代初科学研究 MOCVD 生长发育超晶格量子阱原材料，在结晶完好性、电力学特性和超晶格构造操纵层面，将我国超晶格量子阱原材料推动到好用水准；他依然还在太阳能电池用光伏电池的探讨和产业发展等领域激发着积极作用。