京东把哪些游戏列为禁售，中芯国际只论性能，把14纳米芯片做大，性能是否达到7纳米水平

14nm制程的芯片，通过做大体积，可以实现7nm的工艺的性能京东把哪些游戏列为禁售。

并且已经在实际中有案例应用这个理念：云手机，超算都是，这个理念的典型代表。

但是14nm芯片要花费的一次成本要比7nm的成本要高出4倍以上，后续产品使用中需要花费的二次费用单位时间要比别人高出2倍以上。（后面说一次成本，二次成本的问题）

先来说说，通过做大体积为什么能够实现7nm的性能？超级计算机都知道吧，可以实现1秒1千万亿次的浮点计算（现在已经更高了）。这种超级计算机还是使用的当下主流的14nm芯片的制程工艺，使用了数千，数万块的存储和芯片来构成。

这就是一个典型的通过堆硬件，增大体积做到超高计算性能的案例。

当然超算可不仅仅是硬件的堆积，还有还需要机房的整个软件架构的布局。

超算中心机房

前段时间华为发布了：云手机，不知道有几个人关注过？

华为云手机

这个东西的核心原理就是：手机本身的芯片可以降低性能，需要计算的各类数据，通过5G网络快速的传送到服务器上面，用大型服务器的计算能力，来帮忙计算，然后将计算结果传送到手机。

比较典型的例如：渲染图片，视频，游戏等等。多个应用共同运行时，通过云端实现多线程运行。

这种应用的核心其实是，将多个14nm制程芯片的性能一起堆叠起来构成一个机房，比拼一个7nm制程的芯片。

原理上说，同14nm增大体积达到更高的7nm制程芯片，是一样的含义。

这样就是一个：终端低配，云端高配的“云手机”。

那么既然可以通过堆积硬件，解决性能问题，为什么我们还要追求7nm，5nm，甚至是1nm制程呢？这就要说到，芯片本身的情况了。

所谓的14nm，7nm是指光刻机蚀刻机的光源波长。

如果想要通俗的理解，那就是14nm的刻线光源波长要比7nm更长，刻线的宽度更宽。但是这里有一个需要注意，实际的蚀刻中蚀刻的线槽并不是2倍的宽度关系。（光源照射蚀刻液，蚀刻液腐蚀硅片）。

芯片放大的晶体管图

一个芯片的光刻过程要经过30次左右的光刻过程。

实际刻出来的线路槽

事实上光刻是重复性的过程。光刻——金属沉积进入蚀刻后的槽中——化学清洗不需要的金属（铜）——再光刻——再沉积——再清洗……。如此往复。

最终形成的整个硅片上面的电路是一个立体化的，并不是一层，一般情况都在10层以上，数千万，甚至数亿的门电路。

光刻机的光刻过程

那么这里可以回到问题：单个芯片14nm和7nm工艺制程的差距如果要让14nm达到7nm工艺状态下，门电路的数量相同。（暂且不考虑集成度，以及各类功率的问题，这个后面聊）

在硅片厚度一定的状态下，14nm制程芯片面积至少是7nm芯片的4-6倍。

这个差距就很明显了。实际情况下，7nm芯片要达到14nm芯片的性能也不需要同14nm芯片有相同数量的门电路数量。

晶体管越小后，整个芯片集成度越高，同时能耗也可以做的更低。

其实是后续的能耗问题，直接决定了，手机，电脑等设备电池的大小，以及终端设备的大小问题。

这也就是说到，我们最开始关于：一次成本，二次成本的问题。

一次成本是芯片材料消耗的成本，14nm体积大消耗的材料更多，由于芯片良品率本身就不能达到100%的情况。所以残次品也要算到一次成本中。这样就造成了，14nm芯片想要高性能，就需要付出更大的成本。

二次成本，就是我们说的能耗，终端散热，以及终端体积过大，有多少人愿意，为这个又大又笨拙的芯片买单的市场成本问题。很显然二次成本，伴随着芯片使用量越大，14nm制程工艺想要达到7nm芯片需要付出翻倍以上的成本。

这也是为什么中芯国际实现了14nm制程，依然要不断追求7nm的核心原因。一旦7nm普及，14nm的竞争力是呈现10一倍以上竞争力下降。可喜的是，中芯国际目前N+1制程可以实现7nm。但稳定生产还需要时间。